台灣羅德史瓦茲

隨著寬能隙半導體（Wide Bandgap Semiconductor）的發展，MOSFET 與 IGBT 的測試也跟著電壓的開關速率提高。其中備受矚目的雙脈衝測試 （Double-Pulse Testing），此方式利用巧妙的電路結構去檢測功率器件的瞬態開關特性、吸收電路的設計、短路特性等實際表現。

本次的活動中，R&S將邀請北科大黃明熙教授提供電源轉換器之損失分析及量測技術的深入解析，同時邀請聯合大學江炫樟教授介紹研發設計不可或缺的電路模擬與治具搭配；並由R&S Asia專家分享寬能隙半導體的雙脈衝測試需要考量的量測細節，將其所得的資訊充分反映實際應用的情況；產品研發過程中，為取得正確的量測結果，如何選擇合適的探棒，為本次重要議題之一，本次活動也將探討如何藉由EMI Debugging在各階段減少因產品開發錯誤所致的損失及縮短上市時間。

— 現場將安排電路模擬及EMI Debugging與情境展示，名額有限，馬上報名，機不可失！